碳化硅磚具有高度的共價鍵結(jié)合特性（共價鍵占有率為90%），故有良好的化學(xué)穩(wěn)定性,，同時略次于金剛石的硬度也使其具備了優(yōu)良的耐磨性,，此外碳化硅磚還有較高的高溫強度、高熱導(dǎo),、低膨脹率和良好的抗熱震等性能,。

SiC最初被廣泛地應(yīng)用于磨料工業(yè)，目前大規(guī)模生產(chǎn)碳化硅材料基本上采用電熔解法      

SiO2+3c→SiC+2CO—620KJ/mo

目前在耐火材料方面主要有兩個領(lǐng)域的應(yīng)用,，一是以碳化硅為基的耐火材料系列：二是作為添加劑改善氧化物耐火材料的性能,。作為添加氧化鋁基（AL2O3）耐火材料系統(tǒng)中，將改善鋁質(zhì)耐火材料的耐火度,、高溫強度,、熱穩(wěn)定性，尤其是抗熱震性能的提高,。

碳化硅磚是共價鍵性極強的化合物,，在高溫狀態(tài)下仍可以保持高的鍵合強度,，強度降低不明顯，高溫變形小,，且導(dǎo)熱性好,，熱膨脹系數(shù)小，熱震穩(wěn)定性好,。由此,，碳化硅材料被認為是一種很優(yōu)異的高溫結(jié)構(gòu)材料和耐火材料。但是,，碳化硅磚是一種非氧化物材料,，在高溫、氧化條件下,，不可避免的帶來氧化問題

雖然SiC的氧化產(chǎn)物,，SiO2保護膜，可以阻止氧化的進一步發(fā)生但是約在800℃—1140℃SiO2膜會因相變而產(chǎn)生體積變化,，從而使其結(jié)構(gòu)變得疏松,，氧化保護作用驟減：另外，在一定條件下,，SiO2保護膜還無法形成,。這都將導(dǎo)致碳化硅材料的使用性能降低，影響它的使用壽命,。

碳化硅磚在普通條件下（如大氣1000℃-2000℃）具有較好的抗氧化性能,，這是由于在高溫條件下，碳化硅材料表面形成了一層非常薄的,、致密的,、與基體集合牢固的SiO2膜，氧在SiO2氧化膜中的擴散系數(shù)非常小,，因此碳化硅材料的氧化非常緩慢,。碳化硅材料在這種富氧條件下的緩慢氧化稱為惰性氧化。但在某些條件下,，如在足夠高的溫度下或較低的氧分壓下,，SiC轉(zhuǎn)化為揮發(fā)性的SiO2保護膜被環(huán)境腐蝕，這將導(dǎo)致碳化硅材料被快速氧化,，即產(chǎn)生活性氧化,。而碳化硅材料在使用過程中經(jīng)常會遇到這種環(huán)境。