碳化硅磚具有高度的共價(jià)鍵結(jié)合特性（共價(jià)鍵占有率為90%）,，故有良好的化學(xué)穩(wěn)定性,，同時(shí)略次于金剛石的硬度也使其具備了優(yōu)良的耐磨性，此外碳化硅磚還有較高的高溫強(qiáng)度,、高熱導(dǎo),、低膨脹率和良好的抗熱震等性能。

SiC最初被廣泛地應(yīng)用于磨料工業(yè),，目前大規(guī)模生產(chǎn)碳化硅材料基本上采用電熔解法      

SiO2+3c→SiC+2CO—620KJ/mo

目前在耐火材料方面主要有兩個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用,，一是以碳化硅為基的耐火材料系列：二是作為添加劑改善氧化物耐火材料的性能。作為添加氧化鋁基（AL2O3）耐火材料系統(tǒng)中,，將改善鋁質(zhì)耐火材料的耐火度,、高溫強(qiáng)度,、熱穩(wěn)定性，尤其是抗熱震性能的提高,。

碳化硅磚是共價(jià)鍵性極強(qiáng)的化合物,，在高溫狀態(tài)下仍可以保持高的鍵合強(qiáng)度，強(qiáng)度降低不明顯,，高溫變形小,，且導(dǎo)熱性好，熱膨脹系數(shù)小,，熱震穩(wěn)定性好,。由此，碳化硅材料被認(rèn)為是一種很優(yōu)異的高溫結(jié)構(gòu)材料和耐火材料,。但是,，碳化硅磚是一種非氧化物材料，在高溫,、氧化條件下,，不可避免的帶來(lái)氧化問(wèn)題

雖然SiC的氧化產(chǎn)物，SiO2保護(hù)膜,，可以阻止氧化的進(jìn)一步發(fā)生但是約在800℃—1140℃SiO2膜會(huì)因相變而產(chǎn)生體積變化,，從而使其結(jié)構(gòu)變得疏松，氧化保護(hù)作用驟減：另外,，在一定條件下,，SiO2保護(hù)膜還無(wú)法形成。這都將導(dǎo)致碳化硅材料的使用性能降低,，影響它的使用壽命,。

碳化硅磚在普通條件下（如大氣1000℃-2000℃）具有較好的抗氧化性能，這是由于在高溫條件下,，碳化硅材料表面形成了一層非常薄的,、致密的、與基體集合牢固的SiO2膜,，氧在SiO2氧化膜中的擴(kuò)散系數(shù)非常小,，因此碳化硅材料的氧化非常緩慢。碳化硅材料在這種富氧條件下的緩慢氧化稱為惰性氧化,。但在某些條件下,，如在足夠高的溫度下或較低的氧分壓下，SiC轉(zhuǎn)化為揮發(fā)性的SiO2保護(hù)膜被環(huán)境腐蝕,，這將導(dǎo)致碳化硅材料被快速氧化,，即產(chǎn)生活性氧化。而碳化硅材料在使用過(guò)程中經(jīng)常會(huì)遇到這種環(huán)境。